Установка лазерной литографии

 
Установка представляет собой лазерный генератор изображения с технологией «прямого письма» для литографии. Позволяет создавать топологию микроструктур на кремнии, стекле, различных пленках и других плоских образцах, покрытых i-line фоторезистом без фотошаблонов.

Основные характеристики и возможности:

• максимальное разрешение: < 1 мкм;
• неровность края структур [LER, 3σ]: 120 нм;
• однородность ширины линии [3σ]: 200 нм;
• сетка экспонирования: 40 нм;
• диапазон автофокуса: 80 мкм;
• скорость экспонирования: 5 мм²/мин;
• точность совмещения [3σ]: 200 нм;
• область экспонирования: до 100 х 100 мм;
• размер образца: до 125 х 125 мм (включая образцы произвольных конфигураций);
• режим экспонирования в оттенках серого (создание 3D структур, микро-линз, линзовых антенных решеток и т.д.).