Комплекс нанесения, сушки и проявления резистов, Brewer Science (США)

 

Установка для обработки пластин в парах ГМДС 


Установка предназначена для предварительной подготовки поверхности пластины перед нанесением фоторезиста (дегидратации и обработка в парах гексаметилдисилазана). Обеспечивает высокую равномерность и стабильность нагрева.

Основные характеристики и возможности:
  • размер подложек: диаметр от 1 до 200 мм, квадратные 8” x 8”;
  • диапазон температур: от комнатной до 300 оС, точность поддержания температуры: 0.1 оС;
  • равномерность температуры по поверхности нагревательной плиты: 0.3 %;
  • три метода сушки: контактная, вакуумная и с микрозазором.


Установка нанесения фоторезиста  

Установка предназначена для нанесения электроно- и фоторезистов методом центрифугирования и сушки на горячей плите. Оснащена шприцевой системой дозирования резиста, системами отмывки края сверху и снизу.

Основные характеристики и возможности:
  • размер подложек: от 1 до 200 мм, квадратные 7” x 7”;
  • скорость центрифугирования до 12000 об/мин, точность задания скорости 0.2 об/мин;
  • ускорение центрифуги до 30000 об/мин/сек без нагрузки, до 23000 об/мин/сек с подложкой 200 мм;
  • диапазон температур: от комнатной до 300 оС, точность поддержания температуры: 0.1 оС;
  • равномерность температуры по поверхности нагревательной плиты: 0.3 %;
  • три метода сушки: контактная, вакуумная и с микрозазором (программируемые загрузочные штифты);
  • возможность работы как с пластинами, так и с фотошаблонами.
 

Установка сушки фоторезиста 

Установка предназначена для термической обработки пластин на разных этапах формирования фоторезистивной маски (постэкспозиционная термообработка, сушка, дубление).

Основные характеристики и возможности:
  • размер подложек: диаметр от 3 мм до 200 мм, квадратные 8” x 8”;
  • диапазон температур: от комнатной до 400 оС, точность поддержания температуры: 0.1 оС;
  • равномерность температуры по поверхности нагревательной плиты: 0.3 %;
  • возможность управления скоростью нагрева и сушки подложек в инертной среде.
 

Установка охлаждения пластин 

Установка предназначена для охлаждения подложек после температурных обработок на различных этапах формирования фоторезистивной маски.

Основные характеристики и возможности:
  • размер подложек: диаметр от 1 до 200 мм, квадратные 8” x 8”;
  • диапазон температур от 15 оС до комнатной, точность поддержания температуры: 0.1 оС;
  • равномерность температуры по поверхности нагревательной плиты: 0.3 %;
  • возможность охлаждения в контакте, с зазором, в вакуумном контакте.
 

Установка проявления фоторезиста  

Установка предназначена для проявления электроно- и фоторезистов после экспонирования, а также для lift-off процесса (взрывная литография).

Основные характеристики и возможности:
  • размер подложек: от 1 до 200 мм, квадратные 7” x 7”;
  • скорость центрифугирования до 12000 об/мин, точность задания скорости 0.2 об/мин;
  • ускорение центрифуги до 30000 об/мин/сек без нагрузки, до 23000 об/мин/сек с подложкой 200 мм;
  • 5 каналов подачи проявителя;
  • возможность спреевого и струевого проявления.
Последние события ФМН