Установка контактной литографии и совмещения для бондинга MA/BA8 Gen3, SUSS Microtec (Германия)

 
Установка предназначена для выполнения контактной литографии на подложках из различных материалов (кремний, стекло), совмещения фотошаблонов с подложками и последующей засветки ультрафиолетовым светом. Установка также предназначена для совмещения пластины с пластины с целью последующего сращивания в установке бондинга.

Основные характеристики и возможности:
  • точность совмещения верхним микроскопом 0.5 мкм;
  • точность совмещения нижним микроскопом 1.0 мкм при литографии;
  • точность совмещения нижним микроскопом 2.0 мкм при совмещении пластины с пластиной для бондинга;
  • универсальная оптика UV250/300/400 в составе системы (экспонирование на длинах волн 240нм, 320нм и 365/405нм) с интеграторами на микролинзах;
  • экспонирование высокого разрешения – при вакуумном контакте не хуже 0.4 мкм на 240 нм, не хуже 0.5 мкм на 320 нм, не хуже 1.5 мкм на 365/405 нм;
  • равномерность засветки – не хуже 1% на пластине 100 мм диаметром и 3% на 200 мм;
  • размер обрабатываемых пластин – диаметром до 200 мм;
  • размер обрабатываемых подложек – до 200х200 мм;
  • экспонирование всей поверхности пластины за один раз;
  • установка оптимизирована для высокого разрешения формирования вертикальных стенок;
  • оптическая система, обеспечивающая уменьшение дифракции;
  • оптическая система, обеспечивающая отсутствие необходимости юстировки лампы в процессе эксплуатации;
  • возможность регулировки интенсивности по форме пятна засветки;
  • система автоматической компенсации выравнивания планарности при работе в контакте или с зазором между пластиной и фотошаблоном;
  • работа при зазоре и при контакте (мягкий, жёсткий, вакуумный) для получения разрешения в 2.5 мкм при зазоре 20 микрон и гарантированного разрешения 0.4 микрон при вакуумном контакте.
Последние события ФМН