Установка контактной литографии и совмещения для бондинга MA/BA8 Gen3, SUSS Microtec (Германия)

• точность совмещения верхним микроскопом 0.5 мкм;
• точность совмещения нижним микроскопом 1.0 мкм при литографии;
• точность совмещения нижним микроскопом 2.0 мкм при совмещении пластины с пластиной для бондинга;
• универсальная оптика UV250/300/400 в составе системы (экспонирование на длинах волн 240нм, 320нм и 365/405нм) с интеграторами на микролинзах;
• экспонирование высокого разрешения – при вакуумном контакте не хуже 0.4 мкм на 240 нм, не хуже 0.5 мкм на 320 нм, не хуже 1.5 мкм на 365/405 нм;
• равномерность засветки – не хуже 1% на пластине 100 мм диаметром и 3% на 200 мм;
• размер обрабатываемых пластин – диаметром до 200 мм;
• размер обрабатываемых подложек – до 200х200 мм;
• экспонирование всей поверхности пластины за один раз;
• установка оптимизирована для высокого разрешения формирования вертикальных стенок;
• оптическая система, обеспечивающая уменьшение дифракции;
• оптическая система, обеспечивающая отсутствие необходимости юстировки лампы в процессе эксплуатации;
• возможность регулировки интенсивности по форме пятна засветки;
• система автоматической компенсации выравнивания планарности при работе в контакте или с зазором между пластиной и фотошаблоном;
• работа при зазоре и при контакте (мягкий, жёсткий, вакуумный) для получения разрешения в 2.5 мкм при зазоре 20 микрон и гарантированного разрешения 0.4 микрон при вакуумном контакте.