Установки плазмохимической очистки и активации поверхности

Установка плазмохимической очистки, снятия резиста и травления Yield Engineering Systems (США)

 
Установка предназначена для плазменной очистки поверхности подложек и пластин, для удаления толстых слоев фоторезиста и полиимида. Конфигурация системы позволяет работать в нескольких режимах: «жестком», обеспечивающим наибольшую скорость снятия, и более мягком с минимальными повреждениями поверхности пластины. Температурный диапазон: от 30 до 250 оС. Применение данной установки позволяет заменить токсичные жидкостные процессы очистки на более эффективные и безопасные плазмохимические.

Установка обеспечивает следующие технологические процессы:
  • снятие фоторезиста со скоростью 7000 А/мин и однородностью по пластине 10 %;
  • удаление полиимидов и остатков полимера после Bosch процесса;
  • очистка от органических соединений;
  • травление;
  • подготовка поверхности.


Установка плазмохимической очистки и активации Pico, Diener (Германия)


Установка предназначена для плазмохимической подготовки поверхности образцов перед такими процессами, как нанесение фоторезиста и напыление металлических слоев.

Возможно осуществление следующих процессов:
  • очистка металлов (медь, алюминий, золото, серебро, нержавеющая сталь), пластиков (ABS, PA, PE, POM, PP), а также стекла и сапфира;
  • активация металлов, пластиков, а также стекла и сапфира;
  • травление металлов и пластиков, а также стекла и сапфира.

Рабочая среда: кислород или аргон.
Размер обрабатываемых подложек: до 100 мм в диаметре
Частота генератора: 40 кГц
Последние события ФМН