В НОЦ ФМН разработан технологический процесс 35 нм литографии для формирования высокоаспектных (до 1:10) наноструктур

8 сентября 2016 года
В рамках внутреннего инициативного проекта по разработке технологии формирования оптических волноводов для применения в изделиях нанофотоники (устройства связи и передачи информации, интерферометры, однофотонные детекторы и т.п.) в НОЦ ФМН разработан процесс электронно-лучевой литографии формирования суб-50нм наноструктур с применением позитивного резиста высокого разрешения ZEP520a компании Zeon Chemicals (США).
ZEP520a – широко известный электронный резист с высоким разрешением и высокой стойкостью к плазмохимическому травлению. В ходе работ по отработке процесса экспонирования получены структуры разрешением до 35нм и аспектным соотношением до 1:10 (при толщине резиста до 400нм).  
технологический процесс 35 нм литографии для формирования высокоаспектных (до 1:10) наноструктур
Разработанный технологический процесс может быть использован при изготовлении устройств нанофотоники, полупроводниковой и квантовый электроники, биосенсорики и других, в которых на первый план выходит возможность формирования наноструктур с высоким аспектным соотношением, а также повышенная стойкость к процессам плазмохимического травления твердых/прочных материалов.
Все новости
Новая статья в Coatings Опубликована работа
Новая статья в Coatings
В НОЦ ФМН созданы серебряные пленки, улучшающие свойства с течением времени. Материал найдет применение в области нанофотоники, оптики, квантовых вычислений и коммуникаций.