Опубликована наша новая статья в журнале "Key Engineering Materials"

В статье приведены результаты исследований деградации наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур вследствие диффузии составляющих их элементов. Определено, что диффузия Al и Si в GaAs происходит преимущественно по отрицательно ионизованным вакансиям галлия с зарядовым состоянием -3. Коэффициент диффузии зависит также от концентрации n-легирующей примеси в соответствии с эффектом уровня Ферми. Анализ литературных данных по коэффициентам диффузии Al и Si в GaAs показал, что они сильно варьируются в зависимости от условий изготовления гетероструктур. Значения коэффициентов диффузии, полученные авторами настоящей статьи, согласуются с данными зарубежных исследователей, что позволяет использовать их для оценки скорости деградации AlAs/GаAs резонансно-туннельных гетероструктур и параметров резонансно-туннельных диодов на их основе в заданных условиях эксплуатации.

M.O. Makeev, S.A. Meshkov and Y.A. Ivanov.