Опубликована наша новая статья в журнале "Физика и техника полупроводников"

22 декабря 2015 года
В статье описывается разработанная методика оценки качества наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур с точки зрения их стойкости к диффузионной деструкции. Методом ИК спектральной эллипсометрии было выявлено диффузионное размытие слоев AlAs/GaAs гетероструктуры и определены коэффициенты диффузии Al и Si в GaAs.
 
Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs-GaAs


М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков. Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии // Физика и техника полупроводников. 2016. Том 50, вып. 1. С. 83-88. 
M.O. Makeev, Y.A. Ivanov, S.A. Meshkov. Assessment of the resistance to diffusion destruction of AlAs/GaAs nanoscale resonant-tunneling heterostructures by IR spectral ellipsometry // Semiconductors. 2016. V. 50, No. 1. P. 83-88.

Все новости