FUNCTIONAL 
Квантовые сопроцессоры НОЦ ФМН на Всероссийском фестивале НАУКА 0+ 2025
«Твоя квантовая Вселенная» вместе с разработками МГТУ им. Н.Э. Баумана и ФГУП "ВНИИА"
МГТУ И ВНИИА НА ФОРУМЕ МИКРОЭЛЕКТРОНИКА 2025
26 september 2025
Команда центра в очередной раз приняла участие в форуме «Микроэлектроника» – ключевом профессиональном событии отрасли, где ученые, специалисты, представители государства и бизнеса обсуждают новые возможности для развития микроэлектронных технологий, устанавливают и развивают межотраслевые научно-практические и производственные связи, формируют эффективные ответы новым вызовам, обеспечивая технологический суверенитет России».
Представители НОЦ ФМН выступили с докладами в Секции 12.2 «Технологии оптоэлектроники и фотоники. Интегральная фотоника, волоконные и лазерные технологии». Директор Илья Родионов принял участие в Круглом столе «Облачный доступ к квантовым вычислителям – увеличение доступности технологии и расширение круга пользователей», а также бизнес-завтраке ГК «Росатом» на тему «Участие производителей электронной и радиоэлектронной промышленности в научном сопровождении направления по обеспечению технологической независимости критической информационной инфраструктуры».
В Секции 12.2 Илья Родионов выступил с презентацией технологий фотонных интегральных схем для криогенных приложений. В докладе суммированы ключевые результаты нашей команды в области интегральной фотоники в 2025 году. Представлена серийная технология SiN с PDK, доступным ключевым клиентам. В 2025 мы начали массовую характеризацию элементов ФИС (более 10000 структур). В мелкой серии ФИС сегодня мы гарантируем потери в волноводах менее 0,1 дБ/см (типовые до 2 дБ/м) и добротность кольцевых резонаторов до 20 млн.
«Мы представляем активную фотонную платформу на базе термооптических фазовых модуляторов и ведем активную работу по внедрению на нее электрооптических устройств и однофотонных детекторов», – отметил Илья Родионов.
Александр Бабурин выступил с презентацией, посвященной гибридному сопроцессору для множеств матриц на основе технологии фотонных интегральных схем. В докладе «Сопроцессоры на основе фотонных интегральных схем для матричной обработки данных» затронута технология SiN и представлены ФИС для реализации умножения матриц размерностью 4х4 – это один из ключевых компонентов сопроцессора.
Дмитрием продемонстрирована технология создания многоуровневых высокоточных микросистем на базе кремния и стекла. Показаны возможности применения технологий МЭМС в фотонных интегральных схемах для обеспечения сверхнизких потерь.
«Нами проведена характеризация ФИС в диапазоне длин волн 1530-1570 нм и калибровка интерферометров. Приведены методики увеличения производительности систем на базе ФИС до единиц TOPS с использованием ЭО модуляторов и оптических частотных гребенок», – подчеркнул Александр.
Кирилл Бузаверов выступил с докладом на тему «Перестраиваемые фотонные интегральные схемы на нитриде кремния со сверхмалыми потерями для прототипирования оптоэлектронных устройств». Кирилл рассказал о технологии изготовления ФИС со сверхмалыми потерями. Участники дискуссии обсудили возможности центра в серийном производстве пластин диоксида и нитрида кремния, а также результаты оптимизации отдельных технологических процессов. В докладе представлены измерения характеристик дифракционных решеток и оптических микрорезонаторов по большому массиву структур.
Дмитрий Баклыков выступил в Секции № 8 Микросистемы. Сенсоры и актюаторы с докладом на тему «Разработка технологии создания многоуровневых микроэлектромеханических систем». «Нами получена рекордная добротность микрорезонаторов – более 17 млн, что соответствует потерям менее 0,02 дБ/см и показывает высокое качество разработанной технологии», – подтвердил Кирилл.
Евгений Лотков выступил на тему «Интегральные электрооптические модуляторы на основе нитрида кремния и прозрачных проводящих оксидов». Обозначил тенденции развития электрооптики и возможности масштабирования устройств на чипе. Представил расчеты и эксперименты по созданию амплитудных и фазовых электрооптических модуляторов на основе прозрачных проводящих оксидов толщиной 15 нм.
«Нами получены первые реализации совмещения этих материалов с волноводной схемой из нитрида кремния, а также реализации фазовых конструкций на длине волны 1550 нм», – отметил Евгений.
Илья Степанов представил доклад, посвященный разработке сверхпроводниковых однофотонных детекторов с близкой к 1 эффективностью поглощения. В работе продемонстрирована технология изготовления сверхпроводниковых однофотонных устройств, монолитно интегрированных на чип ФИС с возможностью как вертикального, так и горизонтального ввода излучения. «Нами экспериментально достигнута эффективность поглощения 99,78%, продемонстрированы результаты характеризации детекторов при криогенных температурах, включая эффективность детектирования 67% и скорость счета более 38 МГц», – завершил выступление Илья. 
