50 кВ установка электронно-лучевой литографии

 
Установка предназначена для формирования изображения с топологическими размерами до 10 нм в слое резиста с помощью сфокусированного электронного пучка.

Основные характеристики и возможности:

• разрешение 10 нм (с периодом 40 нм);

• ускоряющее напряжение электронного пучка от 10 до 50 кВ;
• ток пучка 50 пА – 40 нА;
• минимальная адресная сетка 0.5 нм в поле 500 мкм;
• максимальное поле экспонирования 500 мкм² с возможностью коррекции фокуса в реальном времени;
• точность сшивки полей 25 нм (+3σ) в поле 100 мкм и 35 нм (+3σ) в поле 500 мкм;
• область экспонирования 150 х 150 мм;
• автоматическое или ручное задание меток совмещения (до 9 меток в каждом поле экспонирования);
• автоматическое, полуавтоматическое или ручное распознавание меток;
• точность совмещения 25 нм (+3σ) в поле 100 мкм и 35 нм (+3σ) в поле 500 мкм;
• автоматическая коррекция фокуса;
• возможность коррекции формы пучка в процессе экспонирования
• размер подложек от 5 до 200 мм.