В России запустили технологию передовых чипов сверхпроводниковых квантовых компьютеров
В Квантум Парке МГТУ им. Н.Э. Баумана и ФГУП «ВНИИА» разработана технология изготовления сверхпроводниковых интегральных схем на основе тантала – одной из перспективных материальных платформ квантовых сопроцессоров. Именно она позволяет в разы улучшать качество сверхпроводниковой квантовой электронной компонентной базы (ЭКБ). Добротность российских танталовых чипов достигает десятков миллионов – уровня, доступного лишь нескольким мировым научным центрам. Результаты опубликованы в авторитетном журнале Applied Physics Reviews (APR 2026).

В отличие от алюминия, тантал почти не вступает в реакции с кислотами и агрессивными средами, благодаря чему чипы могут подвергаться агрессивным методам обработки – с их поверхности удаляют атомарные загрязнения и оксиды, ограничивающие качество кубитов. У тантала естественный оксид содержит гораздо меньше дефектов, чем у алюминия, а значит, квантовая информация сохраняется дольше. В мировой практике лучшие кубиты сделаны именно на основе тантала: время когерентности достигло 1,68 миллисекунды (Принстонский университет, Nature 2025), что в несколько раз превосходит показатели алюминиевых аналогов. Переход с алюминия на тантал – один из потенциальных путей создания отказоустойчивых квантовых вычислителей.
В основе танталовой технологии – научное открытие
В Квантум Парке разработали технологию изготовления квантовых чипов на основе высокочистого альфа-тантала. Главная сложность состояла в том, что тантал – «капризный» металл: его пленки растут в двух фазах (бета и альфа), и долгое время механизм формирования нужной альфа-фазы на кремниевых подложках был не ясен.
Российские ученые и инженеры выявили механизм самопроизвольного перехода тантала из метастабильной бета-фазы в требуемую для сверхпроводниковых схем альфа-фазу непосредственно на этапе роста пленки.
«При разработке технологии мы провели более 1000 экспериментов, и эти результаты помогли нам выдвинуть гипотезу механизма фазовой селекции, объясняющую формирование альфа- и бета-тантала», – объясняет разработчик технологии, старший научный сотрудник Квантум Парка Евгений Зикий. – «Используя методы просвечивающей микроскопии с атомарным разрешением, мы проанализировали морфологию десятков серийно изготовленных пластин и отследили субнанометровые структурные особенности альфа-тантала на кремнии – их просто невозможно увидеть «обычными» приборами. В ходе кропотливой исследовательской работы разобрались в природе этих мельчайших структур и изучили зарождение пленок при толщинах в несколько десятков атомарных слоев».
Добротность в 10 миллионов – лучший показатель в мире
Добротность резонаторов – главный «тест-драйв» технологии сверхпроводниковых интегральных схем для квантовых приложений. Она показывает, сколько времени система может хранить квантовое состояние: чем выше добротность, тем дольше живет кубит и тем надежнее работают квантовые алгоритмы. У танталовых резонаторов, сделанных в Квантум Парке, добротность достигает 10 миллионов в однофотонном режиме. Это значит, что один микроволновый фотон успевает «пробежать» внутри резонатора десятки миллионов раз (порядка 10 километров), прежде чем его энергия рассеется. И всё это за доли секунды.
СЭМ-снимки чипа с резонаторами на основе тантала, изготовленного в Квантум Парке
Достигнутый показатель – в числе лучших в мире: подобные значения сегодня доступны только коллегам из Принстонского университета и бельгийского нанотехнологического центра imec.
«Новая для нас технология отработана на криогенных микроволновых резонаторах, и мы смогли более чем на порядок поднять добротность сверхпроводниковых интегральных схем. Начат самый сложный этап – внедрение в серийное производство. Первые поставки квантовых сопроцессоров на танталовой платформе законтрактованы уже на осень 2026 года», – подчеркнул руководитель кластера Квантум Парк Илья Родионов.
Исследования выполнены в рамках стратегического технологического проекта «Экзафлопсные гибридные вычисления (Bauman DeepTech)» программы «Приоритет-2030». Результаты опубликованы в авторитетном физическом журнале Applied Physics Reviews.
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ