Сканирующая электронная микроскопия

Сканирующий электронный микроскоп ультравысокого разрешения позволяет получать высококачественные изображение наноматериалов, полупроводниковых образцов, полезных ископаемых, металлов и сплавов, керамики, стекла и полимеров. В результате исследования можно полностью понять топографию, шероховатость поверхности образца, углубления, будь-то МЭМС или наноструктура. Он позволяет работать как с очень низкими ускоряющими напряжениями, так и с очень высокими токами пучка. Программное обеспечение позволяет получать снимки больших объектов с разрешением 32к х 32к точек, а также проводить 3D анализ.

Основные характеристики и возможности:

• электронно-микроскопическое исследование полупроводниковых, керамических, полимерных, металлических и других образцов с различными возможными вакуум-совместимыми покрытиями;
• возможность анализа образцов как фрагментов, так и 100-200 мм пластин;
• возможность проведения 3D анализа благодаря программному пакету 3DSM;
• разрешение до 0.6 нм;
• исследование магнитных, в том числе сильно намагниченных материалов;
• 4 микроманипулятора c возможностью проведения электрических измерений;
• возможность получать изображение со сверхвысоким разрешением непроводящих материалов;
• высокое качество изображения как результат очистки образца в реактивной циклотронной плазме;
• быстрый процесс получения изображения (менее чем за 60 сек.) с момента установки образца;
• первая в своём классе система с возможностью дооснащения в процессе эксплуатации.

Сканирующий электронный микроскоп


Прибор предназначен для исследования топологии и морфологии поверхности методом СЭМ для экспресс анализа, в том числе большого числа образцов за счет простоты прибора и оптимизированного процесса загрузки/выгрузки исследуемых образцов.

Основные характеристики и возможности:

• диапазон увеличения – от 20х до 24 000х;
• пространственное разрешение – до 30 нм;
• источник электронов – кристалл CeB₆;
• ускоряющее напряжение электронов – 5 кВ;
• рабочее давление – 10 мкПа;
• время загрузки образца – менее 30 сек;
• размер образца (диаметр и высота) – до 25 мм в диаметре и до 35 мм в толщину.