Установки лазерного анализа частиц

Лазерный рефлектометр


Прибор предназначен для картирования, определения количества, положения и размера светорассеивающих дефектов (частиц пыли, рисок, пятен) на поверхности полупроводниковых пластин, исследования микрошероховатости поверхности пластин, а также проведения входного и выходного контроля качества пластин.

Основные характеристики и возможности:

• источник света: лазер с длиной волны 405 нм;
• диаметр детектируемых дефектов: 100 нм;
• диаметр подложки: 76, 100, 125, 150, 200 мм;
• стандартное отклонение (при среднем числе частиц 500 шт): менее 5 %;
• производительность (диаметр 150 мм) : 30 пластин/час.

Лазерный анализатор размеров частиц


Прибор предназначен для определения распределения частиц по размерам в суспензиях, эмульсиях, порошках с помощью метода лазерной дифракции.

Основные характеристики и возможности:

• диагностируемый диапазон размеров – от 0,01 до 2816 мкм;
• анализ жидких и сыпучих (размером от 0,25 мкм) образцов;
• три лазера: 780 нм (один лазер) и 405 нм (два лазера), номинальная мощность – 3 мВ;
• время измерения – от 10 с до 1 мин;
• два многоканальных детекторных блока с логарифмическим распределением фоточувствительных элементов;
• регистрируемые углы рассеяния – от 0,02 до 163 градусов;
• вычислительные алгоритмы (на решениях Ми), в том числе с коррекцией на несферические форм-факторы.