Установка представляет собой лазерный генератор изображения с технологией «прямого письма» для литографии. Позволяет создавать топологию микроструктур на кремнии, стекле, различных пленках и других плоских образцах, покрытых i-line фоторезистом без фотошаблонов.
Основные характеристики и возможности:
максимальное разрешение: < 1 мкм;
неровность края структур [LER, 3σ]: 120 нм;
однородность ширины линии [3σ]: 200 нм;
сетка экспонирования: 40 нм;
диапазон автофокуса: 80 мкм;
скорость экспонирования: 5 мм2/мин;
точность совмещения [3σ]: 200 нм;
область экспонирования: до 100 х 100 мм;
размер образца: до 125 х 125 мм (включая образцы произвольных конфигураций);
режим экспонирования в оттенках серого (создание 3D структур, микро-линз, линзовых антенных решеток и т.д.).