Установки травления во фторсодержащих газах

Установка плазмохимического травления и осаждения из газовой фазы

 
Установка плазмохимического травления с использованием фторных газов оснащена источником высокоплотной индуктивно связной плазмы. Предназначена для плазмохимического травления кремниевых структур, а также для следующих процессов:

• Bosch процессов с углом профиля стенок 90 ± 1° и типовыми размерами структур от 10 нм;
• Cryo Bosch процессов – охлаждаемый до -150 °C подложкодержатель позволяет осуществлять низкотемпературные процессы травления с высоким аспектным соотношением 30:1, размером гребней боковых стенок < 150 нм и гладкостью < 5 нм;
• травления кремния по обратной стороне со скоростью > 3500 нм/мин;
• травления диоксида кремния, кварца, стекла, с однородностью по пластине < ± 5 %;
• травления оксидных пленок титана со скоростью > 40 нм/мин с наклоном профиля стенок > 80°;
• травления вольфрама со скоростью > 100 нм/мин и углом профиля > 85°;
• травления нитрида кремния со скоростью > 100 нм/мин и углом профиля > 88°.

Конфигурация газов в данной системе позволяет проводить низкотемпературные < 150 °C процессы осаждения многослойных пленок со скоростью > 8 нм/мин, равномерностью по пластине < ± 5 % и напряженностью < 250 МПа следующих материалов:

• оксида кремния;
• нитрида кремния;
• аморфного кремния;
• карбида кремния.