7нм: электронная литография ультравысокого разрешения в НОЦ ФМН

В узкопериодичных структурах нам удалось достигнуть ультравысокого разрешения процесса электронно-лучевой литографии близкого к заявленным производителем резиста HSQ предельным значениям: 7нм на двумерных периодических решетках и 11нм на одномерных решетках. Поздравляем команду НОЦ ФМН с этим высоким достижением, которое подтверждает не только высочайшее качество разработанного цикла технологических операций подготовка поверхности -> нанесение резистов -> электронная литография -> проявление, а также эффективность и надежность реализованных инфраструктурных подсистем чистой комнаты.

Электронный резист XR-1541, выпускаемый компанией Dow Corning, является уникальным в своем роде негативным резистом ультравысокого разрешения. Особенность этого резиста заключается в его неорганической основе, что исключает «спутывание» полимерных цепочек и позволяет получить минимальные размеры структур, недостижимые для полимерных резистов. Будучи проэкспонированным резист превращается в стеклоподобное вещество (SiOx), которое способно выдерживать высокие температурные обработки и обеспечивает стойкость при плазмохимических процессах травления. 

Структуры из HSQ используются, как конструкционный слой за счет своей прочности, так и как маска при плазмохимическом травлении. В НОЦ ФМН мы широко используем данный резист, например, в таких устройствах плазмоники, как чувствительные элементы сенсоров, линии передач и волноводы.