Установка плазмохимического травления и осаждения из газовой фазы, Oxford Instruments Plasma Technology (Великобритания)

Установка плазмохимического травления и осаждения из газовой фазы Oxford Instruments Plasma Technology (Великобритания)


Установка плазмохимического травления Oxford Instruments с использованием фторных газов оснащена источником высокоплотной индуктивно связной плазмы. Предназначена для плазмохимического травления кремниевых структур, а также для следующих процессов:
  • Bosch процессов с углом профиля стенок 90 ± 1° и типовыми размерами структур от 10 нм;
  • Cryo Bosch процессов – охлаждаемый до -150 °C подложкодержатель позволяет осуществлять низкотемпературные процессы травления с высоким аспектным соотношением 30:1, размером гребней боковых стенок < 150 нм и гладкостью < 5 нм;
  • травления кремния по обратной стороне со скоростью > 3500 нм/мин;
  • травления диоксида кремния, кварца, стекла, с однородностью по пластине < ± 5 %;
  • травления оксидных пленок титана со скоростью > 40 нм/мин с наклоном профиля стенок > 80°;
  • травления вольфрама со скоростью > 100 нм/мин и углом профиля > 85°;
  • травления нитрида кремния со скоростью > 100 нм/мин и углом профиля > 88°.

Конфигурация газов в данной системе позволяет проводить низкотемпературные < 150 °C процессы осаждения многослойных пленок со скоростью > 8 нм/мин, равномерностью по пластине < ± 5 % и напряженностью < 250 МПа следующих материалов:
  • оксида кремния;
  • нитрида кремния;
  • аморфного кремния;
  • карбида кремния.


Установка реактивного ионного травления Sirus T2, Trion Technology (США)

Установка предназначена для реактивного ионного травления с использованием фторных газов. Компактность и надежная конструкция делают ее идеальной для работы в лабораторной среде. Позволяет осуществлять травление следующих материалов:
  • кремния, диоксида кремния, нитрида кремния;
  • кварца;
  • вольфрама;
  • полиимидов;
  • титана.


Автоматическая установка реактивного ионного и плазмохимического травления «КАРОЛИНА 15», ЭСТО-Вакуум (Россия)


Установка предназначена для травления рельефно-фазовых голограммных оптических элементов (ГОЭ), дифракционных оптических элементов (ДОЭ) и киноформных оптических элементов (КОЭ) на стеклянных и полупроводниковых пластинах.

Основные характеристики и возможности:
  • 13.56 МГц (0.9 кВт);
  • диаметр обрабатываемых изделий – до 200 мм;
  • количество каналов рабочих газов (шт.) – до 8;
  • из них 4 канала для агрессивных газов;
  • равномерность травления на Ø150 мм при травлении SiO2 – ± 1 %.
Последние события ФМН