50 кВ установка электронно-лучевой литографии, Raith (Германия)

 
Установка предназначена для формирования изображения с топологическими размерами до 10 нм в слое резиста с помощью сфокусированного электронного пучка.

Основные характеристики и возможности:
  • разрешение 10 нм (с периодом 40 нм);
  • ускоряющее напряжение электронного пучка от 10 до 50 кВ;
  • ток пучка 50 пА – 40 нА;
  • минимальная адресная сетка 0.5 нм в поле 500 мкм;
  • максимальное поле экспонирования 500 мкм2 с возможностью коррекции фокуса в реальном времени;
  • точность сшивки полей 25 нм (+3σ) в поле 100 мкм и 35 нм (+3σ) в поле 500 мкм;
  • область экспонирования 150 х 150 мм;
  • автоматическое или ручное задание меток совмещения (до 9 меток в каждом поле экспонирования);
  • автоматическое, полуавтоматическое или ручное распознавание меток;
  • точность совмещения 25 нм (+3σ) в поле 100 мкм и 35 нм (+3σ) в поле 500 мкм;
  • автоматическая коррекция фокуса;
  • возможность коррекции формы пучка в процессе экспонирования
  • размер подложек от 5 до 200 мм.
Последние события ФМН