Доброносова Алина Александровна
Младший научный сотрудник, аспирант
В 2015 году получила степень бакалавра по направлению «Электроника и наноэлектроника» в МГТУ им. Н.Э. Баумана. Там же в 2017 году защитила выпускную квалификационную работу магистра на тему: “Разработка технологии ГКР-активных наноструктур” На протяжении всей учебы демонстрировала отличные знания, научной работой на кафедре начала заниматься с 3 курса. Лауреат стипендии Президента РФ и стипендии Ученого Совета МГТУ им. Н.Э.Баумана.
  

С 2015 года занимала должность инженера на кафедре «Электронные технологии в машиностроении» МГТУ им. Н.Э. Баумана в лаборатории «Технология микро- и наноструктур».

Весной 2016 года начала стажировку в совместном НОЦ ФМН МГТУ им. Н.Э.Баумана и ФГУП ВНИИА, с октября 2016 года работает лаборантом НОЦ ФМН, с января 2017 года - младшим научным сотрудником.
Последние события ФМН