Доброносова Алина Александровна
Ведущий инженер, аспирант
В 2015 году получила степень бакалавра по направлению «Электроника и наноэлектроника» в МГТУ им. Н.Э. Баумана. Там же в 2017 году защитила выпускную квалификационную работу магистра на тему: “Разработка технологии ГКР-активных наноструктур”.

С 2015 года занимала должность инженера на кафедре «Электронные технологии в машиностроении» МГТУ им. Н.Э. Баумана в лаборатории «Технология микро- и наноструктур». Занималась исследованием самоорганизующихся тонкопленочных опаловых наноструктур для разработки технологий изготовления элементов фотоники, сенсорики и СВЧ-техники.

С 2016 года сотрудник НОЦ ФМН.
Новости ФМН